Опубликовано в рубрике 
Мeмристoры рaбoтaют быстрee сoврeмeннoй флэш-пaмяти
Aмeрикaнскиe учeныe сoздaли нaкoпитeль пaмяти тoлщинoй в oдин aтoм. Oб этoм сooбщaeт журнaл Nature Nanotechnology в срeду, 25 ноября.
Отмечается, кое-что плотность записи информации получай подобный накопитель примерно в 100 в один прекрасный день больше, чем у современных флэш-накопителей.
Осуществление представляет собой мемристор – элемент памяти, меняющий свое оппозиция в зависимости от электрического заряда, тот или иной сквозь него прошел.
Мемристоры работают быстрее современной флэш-памяти, сильнее того, на них позволительно записать больше данных присутствие том же размере устройства.
Что считалось ранее, что архи тонкие материалы, толщина которых приближается к размеру атома, малограмотный могут быть мемристорами. Же опыты группы ученых перед руководством Деджи Акинванде изо Техасского университета в Остине показали, а это не так.
Сам-друг года назад они показали, словно мемристорные свойства может показывать практически двумерный материал держи основе нитрида бора (h-BN) – его дебелость составляла всего треть нанометра, ведь есть он был в три миллиарда единовременно меньше метра. Это механизм ученые назвали атомристором, ибо его толщина сопоставима с размерами одного атома.
В новом но исследовании Акинванде с коллегами добился опять-таки большего успеха. На основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS2) они создали опять-таки более миниатюрное устройство. Его место составляет всего один квадратный нанометр.
Тесты устройства показали, подобно как плотность записи информации бери него может составлять подле 25 ТБ/см2. Сие примерно в 100 раз вяще, чем у современных флэш-накопителей. Ученые надеются, что такое? если такие устройства дойдут давно промышленного производства, то станут основой интересах нейроморфных вычислительных систем, новых систем радиосвязи и многого другого.
А а уже что-л. делает мы писали о том, как будто украинские ученые разработали новую концепцию киберзащиты с трех уровней.